TSM60NB099PW C1G
Numer produktu producenta:

TSM60NB099PW C1G

Product Overview

Producent:

Taiwan Semiconductor Corporation

Numer części:

TSM60NB099PW C1G-DG

Opis:

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247

Magazyn:

2055 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12895733
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

TSM60NB099PW C1G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2587 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
329W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
TSM60

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
TSM60NB099PWC1G
TSM60NB099PW C1G-DG
-2068-TSM60NB099PWC1G
Pakiet Standard
25

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IXFX48N60P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFX48N60P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
11.94
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXTH32N65X
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTH32N65X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.96
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB099PW
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TSM60NB099PW-DG
CENA JEDNOSTKOWA
8.01
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
taiwan-semiconductor

TSM045NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM340N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT B0G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

taiwan-semiconductor

TSM126CX RFG

MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23